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FDMB3800N
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMB3800N
주문 코드2822534RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id4.8A
On Resistance Rds(on)0.032ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4.8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.032ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleµFET
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.6W
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
On Resistance Rds(on)
0.032ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation Pd
1.6W
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
4.8A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.032ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
µFET
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00007