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NVBG020N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
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제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVBG020N090SC1복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드
리릴링3367862RL
컷 테이프3367862
Product RangeEliteSiC Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩52,187 | ₩52,187 |
| 총계 가격 | ₩52,187 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩52,187 |
| 5+ | ₩47,043 |
| 10+ | ₩41,898 |
| 50+ | ₩41,839 |
| 100+ | ₩41,780 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVBG020N090SC1복사
제조업체 표준 리드 타임10주
주문 코드
리릴링3367862RL
컷 테이프3367862
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation477W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
112A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
477W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0004