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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호ECH8690-TL-H
주문 코드2845400RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id4.7A
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.042ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.042ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Transistor Case StyleECH
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.5W
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.042ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
ECH
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
4.7A
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.042ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.004536