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NSS40301MDR2G
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 40 V, 3 A, 653 mW
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NSS40301MDR2G
주문 코드3368649RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
DC Collector Current3A
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN3A
Power Dissipation Pd653mW
DC Current Gain hFE0.9hFE
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN653mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN180hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Power Dissipation Pd
653mW
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
DC Collector Current
3A
Continuous Collector Current NPN
3A
DC Current Gain hFE
0.9hFE
Power Dissipation NPN
653mW
DC Current Gain hFE Min NPN
180hFE
Transistor Case Style
SOIC
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000218