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NTBL075N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTBL075N065SC1
주문 코드4472905RL
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.085ohm
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation139W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
기술 사양
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
139W
Product Range
EliteSiC Series
Drain Source Voltage Vds
650V
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001