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NTJD4152PT1G
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTJD4152PT1G
주문 코드2533191RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id880mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
On Resistance Rds(on)0.215ohm
Continuous Drain Current Id N Channel880mA
Continuous Drain Current Id P Channel880mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.215ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.215ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd272mW
Power Dissipation N Channel272mW
Power Dissipation P Channel272mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
880mA
On Resistance Rds(on)
0.215ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
880mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.215ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.215ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation Pd
272mW
Power Dissipation P Channel
272mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
880mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
272mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000046