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NTMFD5C674NLT1G
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTMFD5C674NLT1G
주문 코드2895695RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)0.0117ohm
Continuous Drain Current Id N Channel42A
Continuous Drain Current Id P Channel42A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0117ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0117ohm
Transistor Case StyleDFN
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd37W
Power Dissipation N Channel37W
Power Dissipation P Channel37W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
42A
On Resistance Rds(on)
0.0117ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
42A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0117ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0117ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation Pd
37W
Power Dissipation P Channel
37W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
42A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
DFN
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
37W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001