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NTMFD5C680NLT1G
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTMFD5C680NLT1G
주문 코드2895709RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id26A
Continuous Drain Current Id N Channel26A
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Continuous Drain Current Id P Channel26A
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleDFN
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd19W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel19W
Power Dissipation P Channel19W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
26A
Continuous Drain Current Id P Channel
26A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
19W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
26A
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
DFN
Power Dissipation Pd
19W
Power Dissipation N Channel
19W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001