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SH8K26GZ0TB1
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SH8K26GZ0TB1
주문 코드3976638RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.027ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.027ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleSOP
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SH8K26GZ0TB1의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOP
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.027ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.027ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00005