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SP8K31FRATB
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.085 ohm
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SP8K31FRATB
주문 코드2576216RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id3.5A
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Continuous Drain Current Id N Channel3.5A
Continuous Drain Current Id P Channel3.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.085ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOP
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SP8K31FRATB의 대체 제품
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제품 개요
메모
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.085ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
3.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.085ohm
Transistor Case Style
SOP
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.22