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SI1425DH-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-363, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1425DH-T1-GE3
주문 코드4644729
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation0
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
0
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001