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SI1425DH-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-363, Surface Mount
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI1425DH-T1-GE3
주문 코드4644729RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation0
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
3A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
0
Operating Temperature Max
150°C
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001