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SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SI2302CDS-T1-GE3
주문 코드2524651
기술 데이터 시트
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation710mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
710mW
Product Range
-
MSL
-
SI2302CDS-T1-GE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):0