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SIS9634LDN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIS9634LDN-T1-GE3
주문 코드4139040RL
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual N Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.031ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Power Dissipation Pd17.9W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel17.9W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.031ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
17.9W
Power Dissipation N Channel
17.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000154