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SIZF5302DT-T1-RE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 100 A, 100 A, 2700 µohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF5302DT-T1-RE3
주문 코드4006714
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel100A
Continuous Drain Current Id P Channel100A
Drain Source On State Resistance N Channel2700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel2700µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel48.1W
Power Dissipation P Channel48.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
100A
Drain Source On State Resistance P Channel
2700µohm
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
48.1W
Product Range
TrenchFET Gen V Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
100A
Drain Source On State Resistance N Channel
2700µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
48.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001