페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SIZF5302DT-T1-RE3
주문 코드4006714RL
Product RangeTrenchFET Gen V Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual N Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Continuous Drain Current Id N Channel100A
Continuous Drain Current Id P Channel100A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel2700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel2700µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAIR
Gate Source Threshold Voltage Max2V
No. of Pins12Pins
Power Dissipation Pd48.1W
Power Dissipation N Channel48.1W
Power Dissipation P Channel48.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
100A
Drain Source On State Resistance N Channel
2700µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
48.1W
Power Dissipation P Channel
48.1W
Product Range
TrenchFET Gen V Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
100A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
2700µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation N Channel
48.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001