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SQS966ENW-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.028 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SQS966ENW-T1_GE3
주문 코드2932992RL
Product RangeTrenchFET Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id6A
Continuous Drain Current Id N Channel6A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.028ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max2V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd27.8W
Power Dissipation N Channel27.8W
Power Dissipation P Channel27.8W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHC0
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
27.8W
Power Dissipation P Channel
27.8W
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
0
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.028ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
27.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:0
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000082